Page 35 - 机械工程材料2024年第十一期

王加康，等： Cr 2 O 3 掺杂BS-PMS-PZT大功率压电陶瓷的电学性能及温度稳定性

55 ［7］ EITEL R E，RANDALL C A，SHROUT T R，et al.
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50
压电常数下降率/% 45 New high temperature morphotropic phase boundary
piezoelectrics based on Bi（Me）O 3 -PbTiO 3 ceramics［J］.
40
Japanese Journal of Applied Physics，2001，40（10）：
35
5999.
30 ［8］ YIN H，WANG Y，KUANG B，et al. Phase transition

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 and thermal stability of 5.4BiScO 3 - （94.6-x）PbZrO 3 -
Cr 2 O 3 原子分数/%
xPbTiO 3 ternary system with excellent piezoelectric
图 7 从室温至 260 ℃ 不同 Cr 2 O 3 掺杂量 0.05BS-0.05PMS-0.9PZT
properties［J］. Journal of Materials Science：Materials in
陶瓷的压电常数下降率
Fig. 7 Decreasing rate of piezoelectric constant of 0.05BS-0.05PMS- Electronics，2021，32（5）：6047-6054.

0.9PZT ceramics with different Cr 2 O 3 doping amounts from ［9］ SUN Q C，WANG L F，NIE Q. Study on the Cr-doped
room temperature to 260 ℃ PSN-PZN-PZT quaternary piezoelectric ceramics［J］.
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不断增大，相对密度先增大后减小。
110.
（2）随着Cr 2 O 3 掺杂量的增加，陶瓷的压电常数

［10］ OMRAN K H，MOSTAFA M，ABD EL-SADEK M
与机械品质因数均先升后降，介电损耗增大，机电 S，et al. Effects of Ca doping on structural and optical
properties of PZT nanopowders［J］. Results in Physics，
耦合系数基本先增后减，居里温度降低。当Cr 2 O 3
掺杂量为0.4%时，陶瓷的综合电学性能最佳，此时 2020，19：103580.
压电常数、机械品质因数、介电损耗、机电耦合系数 ［11］ LI J，SUN Q. Effects of Cr 2 O 3 doping on the electrical

和居里温度分别为390 pC · N −1 ，861，0.39%，0.55， properties and the temperature stabilities of PZT binary
piezoelectric ceramics［J］. Rare Metals，2008，27（4）：
295 ℃。
362-366.
（3） 从室温至260 ℃，掺杂0.4%Cr 2 O 3 陶瓷的压

［12］ VINILA V S，JACOB R，MONY A，et al. XRD studies
电常数下降率为32%，低于DM-8型商用PZT-8改
on nano crystalline ceramic superconductor PbSrCaCuO
性压电陶瓷（53%） ，该陶瓷具有良好的温度稳定性。 at different treating temperatures［J］. Crystal Structure
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