Page 41 - 机械工程材料2025年第三期
P. 41

莫志伟,等:烧结温度和铌、锰掺杂量对钛酸铅钡基高居里点PTC陶瓷阻温特性的影响


              0.002 0,0.002 2时,陶瓷晶粒尺寸为7~8 μm,陶瓷                 外的电子,增加材料中的自由载流子数量;这些自由
              中出现异常长大的晶粒以及气孔,此时陶瓷的致密                            电子是通过施主掺杂的电子补偿机制产生的                      [24-25] 。

              性较差;随着铌掺杂量的增加,陶瓷的晶粒尺寸减                            当掺杂铌的物质的量分数为0.002 0与0.002 2时,自
              小,气孔数量减少,这是因为铌掺杂量的增加会导                            由移动的载流子较少,因此陶瓷的室温电阻率较大;
              致施主离子在晶界处发生偏析,从而使晶界处受主                            随着铌掺杂量的增加,自由移动的载流子数量增加,
              杂质的浓度增大,阻碍晶界移动的效果增强,因此                            陶瓷的室温电阻率逐渐减小;当铌物质的量分数为
              晶粒尺寸减小。但是当掺杂铌的物质的量分数大于                            0.002 4时,电子补偿机制最为显著,室温电阻率达
              0.002 4时,过量的铌可能导致烧结过程中晶界处的                        到最小,且升阻比达到最大;当铌物质的量分数达到
              铌离子过度富集,阻碍晶界的有效移动和重新排列,                           0.002 6及以上时,大量TiO 2 在晶界处偏析,引起晶
              从而无法完全消除气孔,导致气孔数量增多,致密性                           界势垒的增加,阻碍晶界移动,同时陶瓷结构中产生
              降低。此外,铌的过量掺杂可能改变材料的烧结特                            钡空位,通过空位补偿机制来平衡电荷,由于空位不
              性,导致局部过烧或烧结不足,形成更多的气孔或使                           具备导电性,自由移动的载流子数量减少,因此陶瓷
              原有的气孔尺寸进一步增大。当掺杂铌的物质的量                            室温电阻率增大。综上,当烧结温度为1 290 ℃,掺
              分数为0.002 4时,陶瓷晶粒尺寸均匀,在4~5 μm范                     杂锰和铌的物质的量分数分别为0.001 0,0.002 4时,
              围,气孔数量较少,致密性最好,因此体积密度最大。                          钛酸铅钡基PTC陶瓷的电学性能最佳,升阻比和温
                  由表2可以发现,随着铌掺杂量的增加,陶瓷的                         度系数最大,分别为 7.011×10 和 20.19%,室温电
                                                                                            3
                                                                               3
              升阻比和温度系数均先增大后减小,室温电阻率先                            阻率为2.13×10  Ω · cm,居里温度为281 ℃,这与此
                                                                                                            −3
              减小后增大,居里温度在270~281 ℃。铌作为施主                        时陶瓷晶粒尺寸均匀、体积密度最大(5.882 g · cm )
                                              4+
                      5+
              离子(Nb )进入晶格后,会替代Ti ,从而释放额                         有关。
                       表2 1 290 ℃烧结温度下掺杂不同物质的量分数铌的陶瓷的阻温特性参数(锰物质的量分数为0.001 0)
                Table 2 Resistance temperature characteristic parameters of ceramics doped with different molar fractions of Nb under
                                      sintering temperature of 1 290 ℃ (Mn molar fraction of 0.001 0)

                 铌物质的量分数          室温电阻/Ω       室温电阻率/(Ω · cm)       升阻比           居里温度/℃          温度系数/%
                    0.002 0         3 300          8.34×10 4       8.622×10 2        270             15.22
                                                         4               3
                    0.002 2         1 677          4.11×10         1.241×10          274             17.19
                                                         3               3
                    0.002 4           75           2.13×10         7.011×10          281             20.19
                                                         3               3
                    0.002 6           155          4.55×10         6.212×10          277             18.57
                                                         4               3
                    0.002 8           400          1.14×10         2.917×10          276             16.84
                    0.003 0           807          2.42×10 4       8.121×10 2        270             14.04

              3 结 论                                             270~281 ℃。
                                                                    (3)当烧结温度为 1 290  ℃,掺杂锰和铌的物
                 (1)随着烧结温度的升高,掺杂不同物质的量分
                                                                质的量分数分别为 0.001 0,0.002 4 时,钛酸铅钡
              数锰或铌的陶瓷的体积密度均呈先升后降的趋势,
                                                                基PTC陶瓷的阻温特性最佳,升阻比和温度系数
              当烧结温度在1 290 ℃,陶瓷的体积密度均最大,结
                                                                最大,分别为 7.011×10 和 20.19%,室温电阻率为
                                                                                      3
              构均为纯钙钛矿结构。
                                                                2.13×10  Ω · cm,居里温度为281 ℃,这与此时陶瓷
                                                                        3
                 (2) 当烧结温度为1 290 ℃时,固定铌的物质的
                                                                                                      −3
                                                                晶粒尺寸均匀、体积密度最大(5.882 g · cm )有关。
              量分数为0.002 8,随着锰掺杂量的增加,陶瓷的体
              积密度先升后降,晶粒尺寸增加,室温电阻率增大,                           参考文献:
              升阻比和温度系数基本呈先增后减的趋势,居里温

                                                                  [1] HUAN  Y,WANG  X  H,FANG  J,et  al.  Grain  size
              度稳定为 271~280  ℃。固定锰的物质的量分数为
                                                                     effect  on  piezoelectric  and  ferroelectric  properties  of
              0.001 0时,随着铌掺杂量的增加,陶瓷的体积密度                             BaTiO 3   ceramics[J]. Journal  of  the  European  Ceramic
              先增后减,晶粒尺寸减小,升阻比和温度系数先增大                                Society,2014,34(5):1445-1448.
              后减小,室温电阻率先减小后增大,居里温度稳定在                             [2] CHENG X X,ZHOU D X,FU Q Y,et al. Influence

                                                                                                           33
   36   37   38   39   40   41   42   43   44   45   46